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Samsung Originalspeicher PC3200 200 400 MHZ CL 3
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Samsung Originalspeicher / PC3200 200/400 MHZ / CL 3
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Hauptmerkmale: Speicherkapazität: 512 MB Erweiterungstyp: Generisch Typ: DRAM Technologie: SDRAM-DDR Formfaktor: DIMM 184 Pin CAS Latency: CL3 RAM-Geschwindigkeit: DDR400 (PC3200)
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Samsung DDR-RAM 512 MB 400 MHz
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Arbeitsspeicher SD-RAM DDR 400 512 MB SamsungDIMM SD-RAM DDR 400 / PC3200 Bauform: DIMM Speichertyp: DDR Speicher 512 MB Bustakt: DDR-400 ..
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Beschreibung Samsung Speicher zeichnen sich durch hohe Qualität und Zuverlässigkeit aus. Nicht umsonst gehören Samsung Speichermodule zu den besten überhaupt. Technische Daten: Hersteller Samsung Kapazität 512MB Bustakt PC400 / PC3200 Latency CL3 An
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